Роз'єм Nano SIM-карти, 6 контактів, H1,4 мм, шарнірного типу, із контактом CD KLS1-SIM-101

Роз'єм Nano SIM-карти, 6 контактів, H1,4 мм, шарнірного типу, із контактом CD KLS1-SIM-101
  • small-img

Будь ласка, завантажте інформацію у форматі PDF:


pdf

Деталі продукту

Теги товарів

Зображення продукту

Роз'єм Nano-SIM-карти, 6-контактний, H1,4 мм, шарнірний тип, із контактом для CD Роз'єм Nano-SIM-карти, 6-контактний, H1,4 мм, шарнірний тип, із контактом для CD

Інформація про Продукт

Роз'єм Nano-SIM-карти, 6-контактний, H1,4 мм, шарнірний тип, із контактом для CD

матеріал:
Корпус: високотемпературний термопластик, UL94V-0. Чорний.
Термінал: мідний сплав, позолочене покриття на контактній площі та хвостиках припою, непокрите нікелем.
Оболонка: нержавіюча сталь, хвости з припою з золотим покриттям, нікель з нижнім покриттям.
Електричний:
Номінальний струм: 0,5 А Макс
Номінальна напруга: 30 В змінного струму
Контактний опір: 100 мОм Макс.
Опір ізоляції: 1000 МОм мін./500 В постійного струму
Діелектрична витримувана напруга: 500 В змінного струму/хв.
Довговічність: 5000 циклів.
Робоча температура: -45ºC~+85ºC

 

матеріал:
Корпус: високотемпературний термопластик, UL94V-0. Чорний.
Термінал: мідний сплав, позолочене покриття на контактній площі та хвостиках припою, непокрите нікелем.
Оболонка: нержавіюча сталь, хвости з припою з золотим покриттям, нікель з нижнім покриттям.

Електричний:
Номінальний струм: 0,5 А Макс
Номінальна напруга: 30 В змінного струму
Контактний опір: 100 мОм Макс.
Опір ізоляції: 1000 МОм мін./500 В постійного струму
Діелектрична витримувана напруга: 500 В змінного струму/хв.
Довговічність: 5000 циклів.
Робоча температура: -45ºC~+85ºC

  • Попередній:
  • далі: